zero-bias mode of photovoltaic detector operation

См. также в других словарях:

• ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• фотогальванический режим — Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения. [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN zero bias mode of photovoltaic detector operation DE Nullvorspannungsbetriebsweise der… …   Справочник технического переводчика

• Фотогальванический режим — 34. Фотогальванический режим D. Nullvorspannungsbetriebsweiese der Halbleiterphotovoltzelle E. Zero bias mode of photovoltaic detector operation F. Régime de fonctionnement du détecteur photovoltaique Режим работы фотодиода без внешнего источника …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• p-n junction — A silicon p–n junction with no applied voltage. A p–n junction is formed at the boundary between a P type and N type semiconductor created in a single crystal of semiconductor by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or… …   Wikipedia

• Photoconductive atomic force microscopy — (pc AFM) is a scientific technique.. Multi layer photovoltaic cells have gained popularity since mid 1980s.[1] At the time, research was primarily focused on single layer photovoltaic (PV) devices between two electrodes, in which PV properties… …   Wikipedia